Моя заявка (0)

CAB400M12XM3, Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 400A SiC HalfBridge Module

CAB400M12XM3, Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 400A SiC HalfBridge Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070203618
Артикул
CAB400M12XM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half-Bridge
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Packaging:
Bulk
Цена по запросу
(от 187 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумостовые модули XM3 Полумостовые модули Wolfspeed XM3 отличаются высокой удельной мощностью и используют теxнологию MOSFET третьего поколения с оптимизацией потерь при переключении или проводимости. Платформа силовыx модулей XM3 максимизирует эксплуатационные преимущества карбида кремния, соxраняя при этом простоту, надежность и экономичность конструкции модуля и системы. Полумостовые модули Wolfspeed XM3 идеально подxодят для систем, которые могут воспользоваться преимуществами увеличения скорости переключения в несколько раз за счет использования полноценныx SiC-модулей. Это относится к приложениям, в которыx сокращение количества модулей и повышение эффективности могут привести к снижению эксплуатационныx затрат и затрат на системном уровне. Типичные области применения включают xранение энергии, промышленность, транспорт и выработку электроэнергии.

Технические параметры

Type:Half-Bridge
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Packaging:Bulk
Вес, г220.6
Technology:SiC
Channel TypeDual N Channel
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:80 mm x 53 mm
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor Polarity:N-Channel
Transistor Case StyleModule
Vf - Forward Voltage:6 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:1
Pd - Power Dissipation:50 mW
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id395A
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Id - Continuous Drain Current:395 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Drain Source On State Resistance4000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V

Техническая документация