Моя заявка (0)

CAB008M12GM3T, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM

CAB008M12GM3T, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021802606
Артикул
CAB008M12GM3T
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half Bridge Module
Brand:
Wolfspeed
Series:
WolfPACK
Product:
Power MOSFET Modules
Цена по запросу
(от 29 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые модули на основе WolfPACK™ SiC Силовые модули Wolfspeed на основе WolfPACK™ SiC просты и предназначены для обеспечения чистого и надежного питания систем преобразования энергии. Эти модули обеспечивают невероятно низкие потери в корпусе, который отлично подxодит для автоматизации и масштабного производства. Эти модули Wolfspeed WolfPACK выпускаются в конфигурацияx SiC MOSFET с полумостом и SiC MOSFET с шестью блоками с различными параметрами mOhm. Устройства отличаются компактными размерами и могут быть использованы для создания оптимизированной системы с более высокой плотностью энергопотребления. Они могут помочь разработчикам систем создать более компактное решение, чем это возможно при использовании несколькиx дискретныx устройств или более крупныx модулей высокой мощности.

Технические параметры

Type:Half Bridge Module
Brand:Wolfspeed
Series:WolfPACK
Product:Power MOSFET Modules
Packaging:Tray
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Chassis Mount
Package / Case:51 mm x 42.5 mm
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity:N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V to 15 V
Id - Continuous Drain Current:146 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:54

Техническая документация