Моя заявка (0)

CAB008A12GM3T, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM

CAB008A12GM3T, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063995686
Артикул
CAB008A12GM3T
Бренд
WOLFSPEED
Technology
Silicon Carbide(SiC)
Вес, г
1
Configuration
2 N-Channel(Half Bridge)
Mounting Type
Chassis Mount
Цена по запросу
(от 40 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модуль для монтажа на шасси с массивом Моп-транзисторов 1200 В (1,2 кВ) 182A (Tj)

Технические параметры

TechnologySilicon Carbide(SiC)
Вес, г1
Configuration2 N-Channel(Half Bridge)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 46mA
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 150A, 15V
Supplier Device PackageModule
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs472nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V(1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C182A(Tj)

Техническая документация