Моя заявка (0)

CAB008A12GM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mO, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

CAB008A12GM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mO, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018665853
Артикул
CAB008A12GM3
Бренд
WOLFSPEED
Technology
Silicon Carbide(SiC)
Вес, г
1
Configuration
2 N-Channel(Half Bridge)
Mounting Type
Chassis Mount
Цена по запросу
(от 37 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Матрица Моп-транзисторов 1200 В (1,2 кВ) 182A (Tj) для монтажа на шасси

Технические параметры

TechnologySilicon Carbide(SiC)
Вес, г1
Configuration2 N-Channel(Half Bridge)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 46mA
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs472nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V(1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C182A(Tj)

Техническая документация