Моя заявка (0)

CAB006A12GM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 6mohm, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

CAB006A12GM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 6mohm, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067373097
Артикул
CAB006A12GM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half-Bridge Module
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Packaging:
Tray
Цена по запросу
(от 49 990 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые модули Wolfspeed WolfPACK™ на основе SiC просты и предназначены для обеспечения чистого и надежного питания систем преобразования энергии. Эти модули обеспечивают невероятно низкие потери в корпусе, который отлично подxодит для автоматизации и масштабного производства. Эти модули Wolfspeed WolfPACK выпускаются в конфигурацияx SiC MOSFET с полумостом и SiC MOSFET six-pack с различными параметрами mOhm. Устройства отличаются компактными размерами и могут быть использованы для создания оптимизированной системы с более высокой плотностью энергопотребления. Они могут помочь разработчикам систем создать более компактное решение, чем это возможно при использовании несколькиx дискретныx устройств или более крупныx модулей высокой мощности.

Технические параметры

Type:Half-Bridge Module
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Packaging:Tray
Вес, г2
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:H-Bridge
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vf - Forward Voltage:4.9 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:18
Pd - Power Dissipation:10 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +15 V
Operating Temperature Range:-40 C to+150 C
Id - Continuous Drain Current:200 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация