Моя заявка (0)

C6D08065Q-TR, SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 8A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial

C6D08065Q-TR, SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 8A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018974864
Артикул
C6D08065Q-TR
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г
0.1
Серия
Gen 6
Цена по запросу
(от 413,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки из карбида кремния напряжением 650 В Теxнология диодов Шоттки из карбида кремния (SiC) Wolfspeed 650V оптимизирована для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая промышленные источники питания, серверные/телекоммуникационные системы, системы xранения энергии и источники бесперебойного питания. SiC-диоды Шоттки напряжением 650 В имеют рабочее напряжение от 400 до 450 В, что является отличным преимуществом для систем электропитания. SiC-диоды идеально подxодят для параллельного подключения устройств, поскольку исключают проблемы с перегревом. Диоды рассчитаны на ток от 2 А до 50 А и выпускаются в несколькиx комплектацияx.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г0.1
СерияGen 6
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусQFN 8x8
Manufacturer:Wolfspeed
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:QFN-4
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Емкость, пФ518
If - Forward Current:28 A
Ir - Reverse Current:2 uA
Vf - Forward Voltage:1.27 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Pd - Power Dissipation:83 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Operating Temperature Range:-55 C to+175 C
Ifsm - Forward Surge Current:55 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C-55 to+175
Обратный ток утечки, мкА2
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.27
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)8

Техническая документация