Моя заявка (0)

C4D10120E-TR, Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

C4D10120E-TR, Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034481650
Артикул
C4D10120E-TR
Бренд
WOLFSPEED
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
Schottky Diode
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Минимальный заказ: 35 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
TypeSchottky Diode
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSiC
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.1
СерияZ-Rec®
PCB changed2
Part StatusActive
КорпусTO-252
ConfigurationSingle Dual Cathode
Package Width6.25(Max)
Package Length6.73(Max)
EDA / CAD ModelsC4D10120E-TR by Ultra Librarian
Supplier PackageTO-252
Reverse Voltage (Vr)1.2kV
Standard Package NameTO
Rectified Current (Io)33A
SVHC Exceeds ThresholdYes
Forward Voltage (Vf@If)1.8V@10A
Peak Forward Voltage (V)1.8@10A
Peak Reverse Current (uA)250
Supplier Temperature GradeIndustrial
Тип устройстваДиод Шоттки
Reverse Leakage Current (Ir)250uA@1200V
Maximum DC Reverse Voltage (V)1200
Maximum Power Dissipation (mW)166500
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)1200
Конфигурация диодаОбщий катод, 1-пара
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)71
Maximum Continuous Forward Current (A)33
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА250
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.8
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)33

Техническая документация