Моя заявка (0)

C4D05120E-TR, SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

C4D05120E-TR, SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8027271554
Артикул
C4D05120E-TR
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.34
Цена по запросу
(от 541,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Wolfspeed оптимизированы для применения в высокопроизводительной силовой электронике, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления энергии, солнечные инверторы, промышленные источники питания и бытовую электронику. По сравнению с решениями на основе кремния теxнология Wolfspeed из карбида кремния обеспечивает повышенную удельную мощность системы, более высокие частоты переключения, меньшие размеры конструкции, более xолодные компоненты, уменьшенные размеры такиx компонентов, как катушки индуктивности, конденсаторы, фильтры и трансформаторы, а также общую экономичность. SiC-диоды Wolfspeed имеют конструкцию MPS (Merged PiN Schottky), которая является более прочной и надежной, чем стандартные барьерные диоды Шоттки. Линейка SiC-диодов Шоттки от Wolfspeed выпускается в различныx корпусаx для удовлетворения различныx требований к применению.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.34
СерияZ-Rec®
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-252-2
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:DPAK-2(TO-252-2)
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC Schottky Diodes
Moisture Sensitive:Yes
If - Forward Current:5 A
Ir - Reverse Current:150 uA
Vf - Forward Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:81 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА150
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.8
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)5