Моя заявка (0)

BZX85C51-TAP, Диод: стабилитрон, 1,3Вт, 51В, DO41, одиночный диод

BZX85C51-TAP, Диод: стабилитрон, 1,3Вт, 51В, DO41, одиночный диод

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024867676
Артикул
BZX85C51-TAP
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
Type
Voltage Regulator
Тип
стабилитрон
Diameter
2.6(Max)
Цена по запросу
(от 20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: стабилитрон, 1,3Вт, 51В, Ammo Pack, DO41, одиночный диод Характеристики Категория Диод Тип стабилитрон Монтаж THT Напряжение стабилизации, В 51 Мощность, Вт 1.3 Корпус DO41

Технические параметры

PPAPNo
TypeVoltage Regulator
Типстабилитрон
Diameter2.6(Max)
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingAmmo
Pin Count2
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.31
Длина4.1 mm
PCB changed2
Part StatusActive
Высота2.6 mm
Корпусdo41
МонтажTHT
Ширина2.6 mm
ConfigurationSingle
Supplier PackageDO-41
УпаковкаAmmo Pack
Test Current (mA)4
Standard Package NameDO
Вид монтажаThrough Hole
Тип выводовAxial
Мощность, Вт1.3
Zener Voltage Tolerance6%
Тип продуктаZener Diodes
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Zener Voltage (V)54
Minimum Zener Voltage (V)48
Nominal Zener Voltage (V)51
Ток испытаний4 mA
Supplier Temperature GradeAutomotive
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокDO-41
Ir - обратный ток500 nA
Maximum Zener Impedance (Ohm)115
Зенеровский ток21 mA
Maximum Power Dissipation (mW)1300
Maximum Regulator Current (mA)21
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаСтабилитроны
Maximum Power Dissipation @ 25C (mW)1300
Maximum Reverse Leakage Current (uA)0.5
Typical Voltage Temperature Coefficient0.0775%/°C
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Размер фабричной упаковки5000
Напряжение стабилизации, В51
Минимальная рабочая температура55 C
Допустимое отклонение напряжения6 %
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Температурный коэффициент напряжения0.0775 %/C
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода51 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое115 Ohms

Техническая документация