Моя заявка (0)

Silicon planar zener diode, 10 V, 1.3 W, DO-41, BZX85C10-TAP

Silicon planar zener diode, 10 V, 1.3 W, DO-41, BZX85C10-TAP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026843733
Артикул
BZX85C10-TAP
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Цена по запросу
(от 27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стабилитроны, 1,3 Вт, серия BZX85. Потери мощности: 1,3 Вт. Упаковка: DO41. Теxнические xарактеристики (тип, напряжение стабилитрона, производитель): BZX85/C10, 10 В, Vishay

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0050
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageCut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Versionsilicon planar zener diode
AssemblyTHT
diameter2.5 mm
EnclosureDO-41
ToleranceВ±5%
Power loss1.3 W
Вес, г0.34
Длина4.1 mm
Power - Max1.3W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота2.6 mm
Ширина2.6 mm
Mounting TypeThrough Hole
Zener voltage10 V
Package / CaseDO-204AL, DO-41, Axial
Forward Current2 mA
Number of diodes1
On-State Voltage1 V
УпаковкаAmmo Pack
Base Product NumberBZX85C10 ->
Zener Voltage Vz Typ10V; Power Dissipation Pd
Impedance (Max) (Zzt)7 Ohms
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C
Вид монтажаThrough Hole
Тип выводовAxial
Supplier Device PackageDO-41
Тип продуктаZener Diodes
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Ток испытаний25 mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz)10V
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-65 °C
Junction temperature (max.)175 °C
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокDO-41
Ir - обратный ток500 nA
Зенеровский ток105 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr500nA @ 7.5V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаСтабилитроны
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Размер фабричной упаковки5000
Минимальная рабочая температура55 C
Допустимое отклонение напряжения6 %
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Температурный коэффициент напряжения0.06 %/C
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода10 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое7 Ohms

Техническая документация