BZX84C4V7LT3G, Zener Diodes 4.7V 225mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651385
- Артикул
- BZX84C4V7LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- Voltage Regulator
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 10,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стабилитроны 4.7V 225mW
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Voltage Regulator |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.008 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BZX84C4V7L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Test Current (mA) | 5 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Zener Voltage Tolerance | 5% |
| Тип продукта | Zener Diodes |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Maximum Zener Voltage (V) | 5 |
| Minimum Zener Voltage (V) | 4.4 |
| Nominal Zener Voltage (V) | 4.7 |
| Ток испытаний | 5 mA |
| Maximum Forward Voltage (V) | 0.9 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Ir - обратный ток | 3 uA |
| Maximum Zener Impedance (Ohm) | 80 |
| Зенеровский ток | 10 mA |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 260 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Стабилитроны |
| Maximum Power Dissipation @ 25C (mW) | 300 |
| Maximum Reverse Leakage Current (uA) | 3 |
| Typical Voltage Temperature Coefficient | -1.65mV/K |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Допустимое отклонение напряжения | 6 % |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Температурный коэффициент напряжения | 1.65 mV/K |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 4.7 V |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 80 Ohms |