BZX79C3V9 DO-35 0,5W NXP стабилитрон

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002177584
- Артикул
- BZX79C3V9
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Military
- No
- Packaging
- Ammo
- Pin Count
- 2
- Automotive
- No
Цена по запросу
(от 3 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диодный стабилитрон одиночный 3,9 В 5% 500 МВт 2-контактный ALF T/R - Лента и катушка (Alt: BZX79-C3V9,113)
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Ammo |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Zener Type | Voltage Regulator |
| Вес, г | 0.454 |
| Длина | 4.25 mm |
| Серия | BZX79 |
| Package Type | SOD-27 |
| Test Current | 5mA |
| Ширина | 1.85 mm |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Диаметр | 1.85 mm |
| Forward Current | 250mA |
| Forward Voltage | 0.9V |
| Supplier Package | ALF |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Diode Configuration | Single |
| Test Current - (mA) | 5 |
| Nominal Zener Voltage | 4.1V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Maximum Zener Impedance | 90Ω |
| Zener Voltage Tolerance | ±5% |
| Тип продукта | Zener Diodes |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Ток испытаний | 5 mA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DO-35-2 |
| Ir - обратный ток | 3 uA |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -65~200 |
| Зенеровский ток | 3 uA |
| Maximum Reverse Leakage Current | 3µA |
| Maximum Zener Impedance - (Ohm) | 90 |
| Категория продукта | Стабилитроны |
| Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | 500@Ta=50C |
| Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | 3 |
| Vf - прямое напряжение | 900 mV |
| Typical Voltage Temperature Coefficient | -2.5mV/K |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Другие названия товара № | 933117690113 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Допустимое отклонение напряжения | 5 % |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Температурный коэффициент напряжения | 0 mV/K |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 3.9 V |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 90 Ohms |