Моя заявка (0)

BZX55C12-TAP, Zener Single Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pins, 175 °C, Through Hole

BZX55C12-TAP, Zener Single Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pins, 175 °C, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8799991552
Артикул
BZX55C12-TAP
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Тип
стабилитрон
Version
small signal zener diode
Assembly
THT
diameter
1.7 mm
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 12В, Ammo Pack, DO35, одиночный диод Характеристики Категория Диод Тип стабилитрон Монтаж THT Напряжение стабилизации, В 12 Мощность, Вт 0.5 Корпус DO35

Технические параметры

Типстабилитрон
Versionsmall signal zener diode
AssemblyTHT
diameter1.7 mm
EnclosureDO-35
Pin Count2
Power loss500 mW
Zener TypeVoltage Regulator
Вес, г0.137
Длина3.9 mm
Package TypeDO-35
Test Current5mA
Корпусdo35
МонтажTHT
Mounting TypeThrough Hole
Zener voltage12 V
Диаметр1.7 mm
Forward Current2 mA
Number of diodes1
On-State Voltage1.5 V
УпаковкаAmmo Pack
Diode ConfigurationSingle
Nominal Zener Voltage12V
Вид монтажаThrough Hole
Тип выводовAxial
Мощность, Вт0.5
Maximum Zener Impedance90Ω
Zener Voltage Tolerance5%
Тип продуктаZener Diodes
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Power Dissipation500 mW
Ток испытаний5 mA
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-65 °C
Junction temperature (max.)175 °C
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокDO-35-2
Ir - обратный ток100 nA
Maximum Operating Temperature+175 °C
Зенеровский ток100 nA
Maximum Reverse Leakage Current2µA
Категория продуктаСтабилитроны
Vf - прямое напряжение1.5 V
Typical Voltage Temperature Coefficient0.03%/°C, 0.11%/°C
Pd - рассеивание мощности500 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение стабилизации, В12
Допустимое отклонение напряжения5 %
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Температурный коэффициент напряжения0.11 %/K
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода12 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое20 Ohms

Техническая документация