Моя заявка (0)

BZW50-68B, Диод защитный, 5кВт, 75,6В, 41А, двунаправленный, R6

BZW50-68B, Диод защитный, 5кВт, 75,6В, 41А, двунаправленный, R6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031356377
Артикул
BZW50-68B
Бренд
STMicroelectronics
Case
R6
PPAP
No
Brand:
STMicroelectronics
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 409,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

CaseR6
PPAPNo
Brand:STMicroelectronics
EU RoHSCompliant with Exemption
Series:BZW50
Diameter9.1(Max)
MountingTHT
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
Polarity:Bidirectional
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Packaging:Ammo Pack
Tradename:Transil
Вес, г1
СерияTransil
PCB changed2
Part StatusActive
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:TVS Diodes/ESD Suppression Diodes
КорпусAxial Leaded
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:TVS Diodes
Type of diodeTVS
Direction TypeBi-Directional
Kind of packagereel, tape
Leakage current5µA
Package / Case:R6-2
Supplier PackageCase R-6
Working Voltage:68 V
Мощность5000
Breakdown voltage75.6V
Clamping Voltage:121 V
Product Category:ESD Suppressors/TVS Diodes
Test Current (mA)1
Breakdown Voltage:75.6 V
Termination Style:Axial
Number of Channels:1 Channel
ПолярностьДвунаправленный
Standard Package NameCase R-6
Max. off-state voltage68V
Cd - Diode Capacitance:3000 pF
Pd - Power Dissipation:6.5 W
Semiconductor structurebidirectional
Ipp - Peak Pulse Current:41 A
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Max. forward impulse current41A
Maximum Clamping Voltage (V)157
Peak pulse power dissipation5kW
Minimum Breakdown Voltage (V)75.6
Maximum Operating Temperature:+175 C
Maximum Peak Pulse Current (A)382
Minimum Operating Temperature:-65 C
Peak Pulse Power Dissipation (W)5000
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Reverse Leakage Current (uA)5
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation:5 kW
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V)68
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:100
Типовое рабочее напряжение68
Максимальный импульсный ток41
Максимальное напряжение фиксации121
Максимальное обратное напряжение68

Техническая документация