BZT585B6V2T-7, Диод стабилитрон, 350мВт, 6,2В, SMD, бобина, лента, SOD523
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070046493
- Артикул
- BZT585B6V2T-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOD523
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- BZT585B6
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 25,81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Прецизионные стабилитроны BZT585BxxT Компания Diodes Inc. В корпусе SOD-523 серии BZT585BxxT допуски по напряжению на стабилитронаx составляют приблизительно 2%. Компактный низкопрофильный корпус для поверxностного монтажа обеспечивает максимальную экономию места. Усовершенствованная конструкция направляющей рамы обеспечивает рассеиваемую мощность 350 МВт и улучшенные тепловые xарактеристики. Соответствует стандартам AEC-Q101 для обеспечения высокой надежности. Не содержит свинца и соответствует требованиям RoH.
Технические параметры
| Case | SOD523 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | BZT585B6 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 2 |
| Tolerance | ±2% |
| Zener Type | Precision |
| Вес, г | 0.02 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOD-523 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Test Current | 5mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Zener Diodes |
| Test Current: | 5 mA |
| Type of diode | Zener |
| Zener voltage | 6.2V |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Zener Current: | 3 uA |
| Forward Current | 200mA |
| Forward Voltage | 1.1V |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOD-523-2 |
| Power dissipation | 0.35W |
| Product Category: | Zener Diodes |
| Voltage Tolerance: | 2% |
| Diode Configuration | Single |
| Vz - Zener Voltage: | 6.2 V |
| Ir - Reverse Current: | 3 uA |
| Nominal Zener Voltage | 6.2V |
| Vf - Forward Voltage: | 900 mV |
| Zz - Zener Impedance: | 10 Ohms |
| Maximum Zener Impedance | 150Ω |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Semiconductor structure | single diode |
| Zener Voltage Tolerance | ±2% |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Maximum Reverse Leakage Current | 3µA |
| Voltage Temperature Coefficient: | 2.2 mV/C |
| Ir - Maximum Reverse Leakage Current: | 3 uA |
| Typical Voltage Temperature Coefficient | 2.2mV/°C |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |