Моя заявка (0)

BZT52H-C4V7,115, Диод: стабилитрон: 0,375/0,83Вт: 4,7В: SMD: бобина, лента: SOD123F

BZT52H-C4V7,115, Диод: стабилитрон: 0,375/0,83Вт: 4,7В: SMD: бобина, лента: SOD123F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024649943
Артикул
BZT52H-C4V7,115
Бренд
Nexperia B.V.
PPAP
Unknown
Type
Voltage Regulator
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 3,57 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: стабилитрон: 0,375/0,83Вт: 4,7В: SMD: бобина, лента: SOD123F Характеристики Категория Диод Тип стабилитрон Монтаж SMD Напряжение стабилизации, В 4.7 Мощность, Вт 0.375 Корпус SOD123F

Технические параметры

PPAPUnknown
TypeVoltage Regulator
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
AutomotiveYes
Вес, г0.006
Длина2.6 mm
СерияBZT52H
PCB changed2
Part StatusActive
Высота1.1 mm
Ширина1.6 mm
ConfigurationSingle
Supplier PackageSOD-123F
Test Current (mA)5
Вид монтажаSMD/SMT
Тип выводовSMD/SMT
Zener Voltage Tolerance5%
Тип продуктаZener Diodes
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Zener Voltage (V)5
Minimum Zener Voltage (V)4.4
Nominal Zener Voltage (V)4.7
Ток испытаний5 mA
Supplier Temperature GradeAutomotive
Maximum Forward Voltage (V)0.9
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOD-123F-2
Ir - обратный ток3 uA
Maximum Zener Impedance (Ohm)78
Зенеровский ток3 uA
Maximum Diode Capacitance (pF)300
Maximum Power Dissipation (mW)830
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаСтабилитроны
Maximum Power Dissipation @ 25C (mW)830
Maximum Reverse Leakage Current (uA)3
Average Rectified Forward Current (A)0.25
Vf - прямое напряжение900 mV
Typical Voltage Temperature Coefficient-1.65mV/K
Pd - рассеивание мощности830 mW
Другие названия товара №934059392115
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура65 C
Допустимое отклонение напряжения5 %
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Температурный коэффициент напряжения0.2 mV/K
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода4.7 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое30 Ohms

Техническая документация