BZD27C12P-HE3-08, 3uA@9.1V 7Ohm SIngle 11.4V~12.7V 800mW 12V DO-219AB(SMF) Zener DIodes ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601452
- Артикул
- BZD27C12P-HE3-08
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay Semiconductors
- Series
- BZD27C
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Tradename
- eSMP
Цена по запросу
(от 44,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стабилитроны ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Series | BZD27C |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Tradename | eSMP |
| Вес, г | 0.06 |
| Длина | 3.9 mm |
| Серия | BZD27C |
| Subcategory | Diodes и Rectifiers |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | Zener Diodes |
| Test Current | 50 mA |
| Высота | 1.08 mm |
| Ширина | 1.9 mm |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DO-219AB-2 |
| Product Category | Zener Diodes |
| Power Dissipation | 800mW |
| Vz - Zener Voltage | 12 V |
| Diode Configuration | Independent Type |
| Zener Voltage (Nom) | 12V |
| Ir - Reverse Current | 3 uA |
| Vf - Forward Voltage | 1.2 V |
| Zener Voltage Vz Typ | 12V; Power Dissipation Pd |
| Zz - Zener Impedance | 4 Ohms |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Zener Impedance (Zzt) | 7Ω |
| Zener Voltage (Range) | 11.4V~12.7V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W |
| Тип продукта | Zener Diodes |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Ток испытаний | 50 mA |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | DO-219AB-2 |
| Ir - обратный ток | 3 uA |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@9.1V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Voltage Temperature Coefficient | 0.1%/C |
| Категория продукта | Стабилитроны |
| Vf - прямое напряжение | 1.2 V |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Коммерческое обозначение | eSMP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Температурный коэффициент напряжения | 0.1 %/C |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 12 V |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 4 Ohms |