BUK9Y153-100E,115, MOSFET BUK9Y153-100E/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025549221
- Артикул
- BUK9Y153-100E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.14
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia BUKx предлагают N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован в соответствии со стандартом AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобиляx.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-669-5 |
| Part # Aliases: | 934067042115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 122 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |