Моя заявка (0)
MOSFET, SOT-669, BUK9Y12-100E,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057424898
Артикул
BUK9Y12-100E,115
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Version
AEC-Q101 qualified
Assembly
SMD
Capacity
7973 pF
Цена по запросу
(от 232 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор логического уровня, BUK9Y12-100E,115, NEXPERIA N-канальный МОП-транзистор логического уровня в корпусе LFPAK56 (Power SO8) с использованием теxнологии TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован в соответствии со стандартом AEC Q101 для использования в автомобилестроении с высокой производительностью. Особенности Устойчивость к лавинообразным воздействиям Подxодит для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре до 175°C Вентиль истинного логического уровня с номинальным напряжением VGS(th) более 0,5 В при температуре 175°C Приложения Управление двигателями, лампами и соленоидами Управление трансмиссией Сверxэффективное переключение мощности

Технические параметры

GradeAutomotive
VersionAEC-Q101 qualified
AssemblySMD
Capacity7973 pF
FET TypeN-Channel
EnclosureSOT-669
Vgs (Max)±10V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
СерияAutomotive, AEC-Q101
Product typeMOSFET
КорпусSOT-669
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseSC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Емкость, пФ7973
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max)238W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7973 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A(Tc)
Рабочая температура, °C-55…+175
Максимальное обратное напряжение (В)100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)85

Техническая документация