BUK6D72-30EX, MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 4A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025478602
- Артикул
- BUK6D72-30EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.14
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 15Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3.3 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.053Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 15Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Другие названия товара № | 934660949115 |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN2020MD |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.053Ом |