Моя заявка (0)

BTA416Y-800B,127, Симистор; 800В; 16А; TO220AB; Igt: 50мА; Ifsm: 160А; 3Q,Hi-Com

BTA416Y-800B,127, Симистор; 800В; 16А; TO220AB; Igt: 50мА; Ifsm: 160А; 3Q,Hi-Com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014873699
Артикул
BTA416Y-800B,127
Бренд
WeEn Semiconductors
Type
Two-way thyristor
Вес, г
2.29
Thyristor Mounting
Through Hole
Peak On State Voltage
1.5В
Цена по запросу
(от 192,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

симистор: 16A 800V 50mA 1000V/mks, 3Q(snubberless), внутр. Изоляция

Технические параметры

TypeTwo-way thyristor
Вес, г2.29
Thyristor MountingThrough Hole
Peak On State Voltage1.5В
Gate Trigger Current - Igt50mA
Gate Trigger Voltage - Vgt1.5V
Current - On State (It (RMS)) (Max)16A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM800V
Стиль Корпуса СимистораTO-220AB
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih60мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц160А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)16А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm800В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt50мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1В

Техническая документация