Моя заявка (0)

BTA216X-600B,127, Симистор; 600В; 16А; TO220FP; Igt: 50мА; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

BTA216X-600B,127, Симистор; 600В; 16А; TO220FP; Igt: 50мА; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024321181
Артикул
BTA216X-600B,127
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
TO220FP
Brand:
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
Technology
3Q, Hi-Com
Цена по запросу
(от 154,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокое напряжение NEC 600 В + Защита цепи

Технические параметры

CaseTO220FP
Brand:WeEn Semiconductors
MountingTHT
Technology3Q, Hi-Com
Вес, г2.3
Gate current50mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Package/Case:TO-220FP-3
Product Type:Triacs
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:934038500127
Max. load current16A
On-State Voltage:1.2 V
Product Category:Triacs
Type of thyristortriac
Factory Pack Quantity:1000
Max. off-state voltage0.6kV
Holding Current Ih Max:60 mA
Off-State Capacitance CO:10 pF
Gate Trigger Current - Igt:34 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:700 mV
Max. forward impulse current140A
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
On-State RMS Current - It RMS:16 A
Non Repetitive On-State Current:150 A
Features of semiconductor devicessensitive gate
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:100 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:600 V

Техническая документация