Моя заявка (0)

BTA208X-1000B,127, Симистор; 1кВ; 8А; TO220FP; Igt: 50мА; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

BTA208X-1000B,127, Симистор; 1кВ; 8А; TO220FP; Igt: 50мА; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030558960
Артикул
BTA208X-1000B,127
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
TO220FP
Brand:
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
Technology
3Q, Hi-Com
Цена по запросу
(от 145,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокое напряжение NEC 600 В + Защита цепи

Технические параметры

CaseTO220FP
Brand:WeEn Semiconductors
MountingTHT
Technology3Q, Hi-Com
Вес, г0.5
Gate current50mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Product Type:Triacs
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220F-3
Part # Aliases:934058003127
Max. load current8A
On-State Voltage:1.3 V
Product Category:Triacs
Type of thyristortriac
Thyristor MountingThrough Hole
Peak On State Voltage1.65В
Max. off-state voltage1kV
Holding Current Ih Max:60 mA
Gate Trigger Current - Igt:34 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:0.7 V
Max. forward impulse current65A
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:8 A
Non Repetitive On-State Current:71 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:0.1 mA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:1 kV
Стиль Корпуса СимистораTO-220FP
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih60мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц65А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)8А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm1кВ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt50мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1В

Техническая документация