Моя заявка (0)
BTA208S-800B,118, Triacs TAPE13 3Q TRIAC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004727482
Артикул
BTA208S-800B,118
Бренд
WeEn Semiconductors
Brand:
WeEn Semiconductors
Вес, г
0.35
Subcategory:
Thyristors
Manufacturer:
WeEn Semiconductors
Цена по запросу
(от 217 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор BTA208S-800B,118 от WeEn Semiconductors – это высококачественный симистор, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Компактный корпус DPAK этого полупроводникового компонента обеспечивает легкую интеграцию в различные электронные схемы. BTA208S-800B,118 характеризуется высокой надежностью и длительным сроком службы, что делает его идеальным выбором для систем силовой электроники. Этот тринистор от WeEn Semiconductors гарантирует эффективное управление мощностью и минимизацию энергопотребления. Используйте BTA208S800B118 для повышения эффективности ваших проектов. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус DPAK

Технические параметры

Brand:WeEn Semiconductors
Вес, г0.35
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Product Type:Triacs
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Part # Aliases:934049490118
On-State Voltage:1.3 V
Product Category:Triacs
Thyristor MountingSurface Mount
Peak On State Voltage1.65В
Holding Current Ih Max:60 mA
Gate Trigger Current - Igt:34 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:700 mV
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:8 A
Non Repetitive On-State Current:72 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:100 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:800 V
Стиль Корпуса СимистораTO-252
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih60мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц65А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)8А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm800В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt50мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1В

Техническая документация