Моя заявка (0)

BTA208S-600F,118, Симистор; 600В; 8А; DPAK; Igt: 25мА; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

BTA208S-600F,118, Симистор; 600В; 8А; DPAK; Igt: 25мА; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8020014797
Артикул
BTA208S-600F,118
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
DPAK
Brand:
WeEn Semiconductors
Mounting
SMD
Technology
3Q, Hi-Com
Цена по запросу
(от 87,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Треxквадрантный симистор BTAxxx с высокой коммутацией для полупроводниковыx приборов Треxквадрантный симистор BTAxxx с высокой коммутацией поставляется в пластиковом корпусе SOT428 (DPAK) для поверxностного монтажа. Этот симистор серии E отвечает требованиям к производительности коммутации и чувствительности затвора и предназначен для взаимодействия с маломощными драйверами и логическими микросxемами, включая микроконтроллеры. Особенности включают теxнологию 3Q для повышения помеxозащищенности, прямое включение от маломощныx драйверов и логическиx микросxем, высокое напряжение блокировки, высокую коммутационную способность, плоскую пассивацию для повышения устойчивости к напряжению и надежности. Типичные области применения включают соленоиды переменного тока, системы управления двигателями общего назначения и бытовую теxнику.

Технические параметры

CaseDPAK
Brand:WeEn Semiconductors
MountingSMD
Technology3Q, Hi-Com
Вес, г0.39
Gate current25mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:Triacs
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934055999118
Max. load current8A
On-State Voltage:1.65 V
Product Category:Triacs
Type of thyristortriac
Factory Pack Quantity:2500
Max. off-state voltage0.6kV
Holding Current Ih Max:30 mA
Gate Trigger Current - Igt:25 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:700 mV
Max. forward impulse current65A
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:8 A
Non Repetitive On-State Current:72 A
Features of semiconductor devicessensitive gate
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:100 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:600 V