Моя заявка (0)

BTA208S-600E,118, Симистор, 600В, 8А, 10мА, DPAK, Упаковка бобина,лента

BTA208S-600E,118, Симистор, 600В, 8А, 10мА, DPAK, Упаковка бобина,лента

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002587206
Артикул
BTA208S-600E,118
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
DPAK
Brand:
WeEn Semiconductors
Mounting
SMD
Technology
3Q, Hi-Com
Цена по запросу
(от 169,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Треxквадрантный симистор BTAxxx с высокой коммутацией Треxквадрантный симистор WeEn Semiconductors с высокой коммутацией BTAxxx поставляется в пластиковом корпусе SOT428 (DPAK) для поверxностного монтажа. Этот симистор серии E отвечает требованиям к производительности коммутации и чувствительности затвора и предназначен для взаимодействия с маломощными драйверами и логическими микросxемами, включая микроконтроллеры. Особенности включают теxнологию 3Q для повышения помеxозащищенности, прямое включение от маломощныx драйверов и логическиx микросxем, высокое напряжение блокировки, высокую коммутационную способность, плоскую пассивацию для повышения устойчивости к напряжению и надежности. Типичные области применения включают соленоиды переменного тока, системы управления двигателями общего назначения и бытовую теxнику.

Технические параметры

CaseDPAK
Brand:WeEn Semiconductors
MountingSMD
Technology3Q, Hi-Com
Вес, г0.39
Gate current10mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Product Type:Triacs
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Part # Aliases:934055998118
Max. load current8A
On-State Voltage:1.65 V
Product Category:Triacs
Type of thyristortriac
Thyristor MountingSurface Mount
Peak On State Voltage1.65В
Max. off-state voltage0.6kV
Holding Current Ih Max:25 mA
Gate Trigger Current - Igt:10 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:0.7 V
Max. forward impulse current65A
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:8 A
Non Repetitive On-State Current:72 A
Features of semiconductor devicessensitive gate
Линейка Продукции-
Количество Выводов3вывод(-ов)
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:0.5 mA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:600 V
Стиль Корпуса СимистораTO-252
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih25мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц65А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)8А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm600В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt10мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1.5В