Моя заявка (0)

BTA208S-600B,118, Симистор, 600В, 8А, DPAK, Igt: 50мА, Ifsm: 65А, 3Q, Hi-Com

BTA208S-600B,118, Симистор, 600В, 8А, DPAK, Igt: 50мА, Ifsm: 65А, 3Q, Hi-Com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002632700
Артикул
BTA208S-600B,118
Бренд
WeEn Semiconductors
Brand:
WeEn Semiconductors
Вес, г
0.35
Subcategory:
Thyristors
Manufacturer:
WeEn Semiconductors
Цена по запросу
(от 121 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор BTA208S-600B,118 от производителя WeEn Semiconductors - это высококачественный симистор в корпусе DPAK, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Этот компонент идеально подходит для использования в различных областях применения, где требуется эффективное управление мощностью. Благодаря своим характеристикам и надежности, BTA208S-600B,118 станет отличным выбором для разработчиков и инженеров. Код товара BTA208S600B118 без специальных символов подчеркивает уникальность и легкость идентификации продукта в каталоге. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус DPAK

Технические параметры

Brand:WeEn Semiconductors
Вес, г0.35
Subcategory:Thyristors
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:Triacs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934049480118
On-State Voltage:1.3 V
Product Category:Triacs
Thyristor MountingSurface Mount
Peak On State Voltage1.65В
Holding Current Ih Max:60 mA
Gate Trigger Current - Igt:34 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:700 mV
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:8 A
Non Repetitive On-State Current:72 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:100 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:600 V
Стиль Корпуса СимистораTO-252
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih60мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц65А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)8А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm600В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt50мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1В

Техническая документация