Моя заявка (0)
BT151-800R,127

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8910912099
Бренд
WeEn Semiconductors
Type:
SCRs
Brand:
WeEn Semiconductors
Pin Count
3
Вес, г
2.5
Цена по запросу
(от 75,90 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Тиристор 800В 12А 15мА

Технические параметры

Type:SCRs
Brand:WeEn Semiconductors
Pin Count3
Вес, г2.5
Package TypeTO-220AB
Subcategory:Thyristors
КорпусTO-220AB(SOT78)
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:SCRs
Thyristor TypeSCR
Current Rating:7.5 A
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:SOT-78-3
Part # Aliases:933387740127
Product Category:SCRs
Surge Current Rating132A
Peak On-State Voltage1.75V
Holding Current Ih Max:20 mA
Maximum Holding Current20mA
Gate Trigger Current - Igt:2 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:0.6 V
Maximum Gate Trigger Current15mA
Maximum Gate Trigger Voltage1.5V
Maximum Operating Temperature+125 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Operating Temperature:+125 C
On-State RMS Current - It RMS:12 A
Rated Average On-State Current7.5A
Repetitive Peak Reverse Voltage800V
кол-во в упаковке50
Non Repetitive On-State Current:132 A
Repetitive Peak Off-State Current0.5mA
Maximum Gate Peak Inverse Voltage:5 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:0.1 mA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:800 V
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage800V
Рабочая температура,С-40…125
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Время включения tвкл.,мкс2
Отпирающее напряжение Uу.от.,В1.5
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В1.75
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс130
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А100
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А7.5
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В800
Наименьший ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А0.015
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс130

Техническая документация