Моя заявка (0)

BT138-600,127, Симистор 12А 600В 35мА, [TO-220AB / SOT-78]

BT138-600,127, Симистор 12А 600В 35мА, [TO-220AB / SOT-78]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
41943
Артикул
BT138-600,127
Бренд
WeEn Semiconductors
Вес, г
2
Серия
BT138
Корпус
TO-220AB
Конфигурация
single
Цена по запросу
(от 72,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор BT138-600,127 от производителя WeEn Semiconductors представляет собой высококачественный симистор в корпусе TO220AB, предназначенный для монтажа типа THT. Этот компонент обеспечивает надежное управление мощностью в широком диапазоне электронных устройств. Он отличается высокой эффективностью и длительным сроком службы, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, включая промышленное оборудование, системы освещения и бытовую электронику. Модель BT138600127 характеризуется отличными параметрами в своем классе, обеспечивая надежное и эффективное управление током. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж THT Корпус TO220AB

Технические параметры

Вес, г2
СерияBT138
КорпусTO-220AB
Конфигурацияsingle
Тип симистораstandard
Ток удержания, мА30
Рабочая температура,С-40…125
Рабочая температура, °C-40…+125
Время включения tвкл.,мкс2
Отпирающее напряжение Uу.от.,В1.5
Ударный ток в открытом состоянии, А95
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В600
Отпирающий постоянный ток управления, мА35
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В1.65
Отпирающее постоянное напряжение управления, В1.5
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В600
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А12
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс20
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А100
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А12
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В600
Наименьший ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А0.025
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс10

Техническая документация