BT137S-600E,118, Triac, 600 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 65 A, 20 mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001086846
- Артикул
- BT137S-600E,118
- Бренд
- WeEn Semiconductors
- Type
- Two-way thyristor
- Вес, г
- 0.5
- Thyristor Mounting
- Surface Mount
- Peak On State Voltage
- 1.65В
Цена по запросу
(от 144 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Симистор; 600В; 8А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 65А; 4Q; sensitive gate Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор
Технические параметры
| Type | Two-way thyristor |
| Вес, г | 0.5 |
| Thyristor Mounting | Surface Mount |
| Peak On State Voltage | 1.65В |
| Gate Trigger Current - Igt | 10mA |
| Gate Trigger Voltage - Vgt | 1.5V |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 8A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM | 600V |
| Стиль Корпуса Симистора | TO-252 |
| Пиковая Мощность Затвора | 5Вт |
| Максимальный Ток Удержания Ih | 20мА |
| Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 65А |
| Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) | 8А |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 600В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt | 25мА |
| Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 1В |