Моя заявка (0)

BT136S-600E,118, Симистор; 600В; 4А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 25А; 4Q; sensitive gate

BT136S-600E,118, Симистор; 600В; 4А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 25А; 4Q; sensitive gate

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014712416
Артикул
BT136S-600E,118
Бренд
WeEn Semiconductors
Brand:
WeEn Semiconductors
Triac Type
Logic-Sensitive Gate
Вес, г
1
Subcategory:
Thyristors
Цена по запросу
(от 64,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокое напряжение NEC 600 В + Защита цепи

Технические параметры

Brand:WeEn Semiconductors
Triac TypeLogic-Sensitive Gate
Вес, г1
Subcategory:Thyristors
ConfigurationSingle
Manufacturer:WeEn Semiconductors
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:Triacs
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934049330118
On-State Voltage:1.4 V
Product Category:Triacs
Voltage - Off State600 V
Operating Temperature125°C(TJ)
Factory Pack Quantity:2500
Holding Current Ih Max:15 mA
Supplier Device PackageDPAK
Current - Hold (Ih) (Max)15 mA
Gate Trigger Current - Igt:11 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:700 mV
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
On-State RMS Current - It RMS:4 A
Non Repetitive On-State Current:27 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)10 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max)4 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:100 uA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)25A, 27A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:600 V

Техническая документация