Моя заявка (0)
BT136-600E,127

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8852810785
Бренд
WeEn Semiconductors
Type
Two-way thyristor
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 35,20 ₽)
Минимальный заказ: 16 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Симистор 600В 4А 10мА 4Q

Технические параметры

TypeTwo-way thyristor
Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г2
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Thyristor MountingThrough Hole
Surge Current Rating27A
Peak On State Voltage1.7В
Peak On-State Voltage1.7V
Maximum Holding Current15mA
Gate Trigger Current - Igt10mA
Gate Trigger Voltage - Vgt1.5V
Maximum Gate Trigger Current25mA
Maximum Gate Trigger Voltage1.5V
Maximum Operating Temperature+125 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Rated Average On-State Current4A
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
кол-во в упаковке50
Repetitive Peak Off-State Current0.5mA
Current - On State (It (RMS)) (Max)4A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM600V
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage600V
Стиль Корпуса СимистораTO-220AB
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih15мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц25А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)4А
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm600В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt25мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1В

Техническая документация