Моя заявка (0)
BT134W-600D,115, Симистор 1A, 600V [SOT-223]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
213334324
Артикул
BT134W-600D,115
Бренд
WeEn Semiconductors
Вес, г
0.39
Серия
BT134W
Корпус
SOT-223
Особенности
поверхностный монтаж
Цена по запросу
(от 59,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор BT134W-600D,115 от производителя WeEn Semiconductors обеспечивает надежное управление мощностью в компактном SMD корпусе SOT223. Симистор данной модели идеально подходит для применения в схемах с переменным током, где требуется эффективное управление нагрузкой. Устройство характеризуется улучшенной стабильностью работы и долгим сроком службы. Благодаря технологии поверхностного монтажа, диод легко интегрируется в современные печатные платы, что делает его идеальным выбором для разработчиков электроники. Используйте BT134W600D115 в своих проектах для создания эффективных и компактных решений. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус SOT223

Технические параметры

Вес, г0.39
СерияBT134W
КорпусSOT-223
Особенностиповерхностный монтаж
Конфигурацияsingle
Тип симистораLogic-Sensitive Gate
Ток удержания, мА10
Рабочая температура,С-40…125
Рабочая температура, °C-40…+125
Время включения tвкл.,мкс2
Отпирающее напряжение Uу.от.,В1.5
Ударный ток в открытом состоянии, А10
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В600
Отпирающий постоянный ток управления, мА5
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В1.5
Отпирающее постоянное напряжение управления, В1.5
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В600
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А1
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс50
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А10
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А1
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В600
Наименьший ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А0.025
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс50

Техническая документация