Моя заявка (0)

BT1308W-600D,115, Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA

BT1308W-600D,115, Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001086835
Артикул
BT1308W-600D,115
Бренд
WeEn Semiconductors
Case
SOT223
Mounting
SMD
Technology
4Q
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод тринистор BT1308W-600D,115 от WeEn Semiconductors представляет собой высококачественный симистор в компактном корпусе SOT223, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Этот полупроводниковый компонент идеален для применения в системах управления мощностью, благодаря своей способности быстро переключать и регулировать ток. Прочный и надежный, этот тринистор гарантирует длительный срок службы и стабильность в широком диапазоне рабочих температур. Характеризуется превосходной термической производительностью и минимальным уровнем электромагнитных помех. Идеальный выбор для разработчиков электроники, требующих надежных компонентов для эффективного управления электрическими нагрузками. Приобретите тринистор BT1308W600D115 и обеспечьте высокую производительность своему проекту. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус SOT223

Технические параметры

CaseSOT223
MountingSMD
Technology4Q
Вес, г0.5
Gate current5/7mA
ManufacturerWeEn Semiconductors
Kind of packagereel, tape
Max. load current0.8A
Type of thyristortriac
Thyristor MountingSurface Mount
Peak On State Voltage1.6В
Max. off-state voltage0.6kV
Max. forward impulse current9A
Features of semiconductor devicessensitive gate
Количество Выводов4вывод(-ов)
Стиль Корпуса СимистораSC-73
Пиковая Мощность Затвора5Вт
Максимальный Ток Удержания Ih10мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц9А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)800мА
Максимальная Рабочая Температура125°C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm600В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt7мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1.5В

Техническая документация