Моя заявка (0)
BSH205G2R, MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025630529
Артикул
BSH205G2R
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
Width
1.4mm
Series
BSH205G2
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,2А, 890мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
Width1.4mm
SeriesBSH205G2
Fall Time16 ns
PackagingReel
Pin Count3
Rise Time14 ns
TechnologySi
Вес, г0.14
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerNexperia
Package TypeSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge3.7 nC
Number of Channels1 Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Forward Diode Voltage1.2V
Pd - Power Dissipation890 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation6.25 W
Typical Gate Charge @ Vgs3.7 nC @-4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time5 ns
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time43 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current-2.3 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min4.5 S
Maximum Gate Threshold Voltage0.95V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Maximum Drain Source Resistance170 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-950 mV

Техническая документация