BSDH10G65E2, SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022145103
- Артикул
- BSDH10G65E2
- Бренд
- Bourns
- Brand:
- Bourns
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 355,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Bourns |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | BSD |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2 |
| Manufacturer: | Bourns |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 500 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 107.1 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | (-55, 175) |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.5 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |