BSDH10G120E2, 1.2kV 1.6V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048218834
- Артикул
- BSDH10G120E2
- Бренд
- Bourns
- Brand:
- Bourns
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2.49
Цена по запросу
(от 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Bourns |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.49 |
| Серия | BSD |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2 |
| Manufacturer: | Bourns |
| Package/Case: | TO-220-2 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| Емкость, пФ | 22 |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 1 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.42 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 176.4 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | от-55 до 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.42 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |