Моя заявка (0)

BSDD10S65E6, SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SCHOTTKY

BSDD10S65E6, SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SCHOTTKY

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024704515
Артикул
BSDD10S65E6
Бренд
Bourns
Speed
No Recovery Time > 500mA(Io)
Technology
SiC(Silicon Carbide)Schottky
Вес, г
0.1
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 415,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диод 650 В 10А для поверxностного монтажа TO-252 (DPAK)

Технические параметры

SpeedNo Recovery Time > 500mA(Io)
TechnologySiC(Silicon Carbide)Schottky
Вес, г0.1
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Capacitance @ Vr, F500pF @ 1V, 1MHz
Емкость, пФ500
Supplier Device PackageTO-252(DPAK)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Тип устройстваДиод Шоттки
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация