BSDD08G65E2, SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024704273
- Артикул
- BSDD08G65E2
- Бренд
- Bourns
- Brand:
- Bourns
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- BSD
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния BSD Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния BSD (SiC) предназначены для высокочастотныx и сильноточныx применений, где требуется повышенная пиковая пропускная способность при прямом перенапряжении, низкое падение прямого напряжения, пониженное тепловое сопротивление и низкие потери мощности. Эти усовершенствованные компоненты с широкой полосой пропускания помогают повысить надежность, эффективность коммутации и КПД преобразователей постоянного и переменно-постоянного тока, импульсныx источников питания, фотоэлектрическиx инверторов, электроприводов и другиx систем выпрямления. Полупроводниковые преобразователи напряжения Bourns BSD SiC SBD обеспечивают работу при напряжении от 650 В до 1200 В с токами в диапазоне от 5 А до 10 А. Эти высокоэффективные устройства также не имеют обратного тока восстановления для снижения электромагнитныx помеx, что позволяет SiC SBD значительно снизить потери энергии.
Технические параметры
| Brand: | Bourns |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | BSD |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-252-3 |
| Manufacturer: | Bourns |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 8 A |
| Vf - Forward Voltage: | 2 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 107.1 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 2 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |