BSDD06G65E2, SiC Schottky Diodes 650V 6A High Surge SiC diode in TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022145026
- Артикул
- BSDD06G65E2
- Бренд
- Bourns
- Brand:
- Bourns
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- BSD
Цена по запросу
(от 264,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Bourns |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | BSD |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-252 |
| Manufacturer: | Bourns |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 6 A |
| Ir - Reverse Current: | 300 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 85.7 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.3 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 6 |