BSC035N10NS5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC035N10NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024976397
- Артикул
- BSC035N10NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.35mm
- Series
- BSC035N10NS5
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSC035N10NS5ATMA1 от производителя INFINEON выделяется высокими показателями эффективности и надежности. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе PG-TDSON-8, предназначен для SMD монтажа. Он способен управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 100 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Имея мощность 156 Вт и очень низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0035 Ом, BSC035N10NS5ATMA1 обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Использование этого компонента гарантирует улучшение производительности ваших электронных устройств. Код продукта для поиска: BSC035N10NS5ATMA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 156 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0035 Корпус PG-TDSON-8
Технические параметры
| Width | 6.35mm |
| Series | BSC035N10NS5 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.239 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Standard Package | 5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115ВµA |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 156W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |