Моя заявка (0)

BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030998976
Артикул
BSC018NE2LSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
0.14
Channel Type
N
Package Type
PG-TDSON-8
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET Infineon - это N-канальный MOSFET на 25 В. Он оптимизирован для высокопроизводительного понижающего преобразователя. Этот MOSFET соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевыx приложений.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.14
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON-8
Mounting TypeThrough Hole
Maximum Power Dissipation2.5 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Collector Emitter Voltage25 V
Maximum Continuous Collector Current153 A

Техническая документация