BPW34S-Z, 32V 920nm 420nm~1120nm 2nA -40-~+100- SMD,3.7x6.2mm Photodiodes ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015858876
- Артикул
- BPW34S-Z
- Бренд
- Osram
- PPAP
- Unknown
- Type
- Chip
- Width
- 3.7mm
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 127,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BPW34S - это SMT-кремниевый контактный фотодиод в корпусе высокой плотности. Он особенно подxодит для применения в диапазоне длин волн от 400 нм до 110 нм и при половинном угле 60°. • Подxодит для пайки оплавлением • типичное короткое время переключения - 20 нс • Компактная пластиковая упаковка с высокой плотностью упаковки • Площадь, чувствительная к излучению, составляет 2,65 x 2,65 мм2 • Фототок 80 мкА
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | Chip |
| Width | 3.7mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | Reverse |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.17 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | Smart DIL |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Diode Material | Si |
| Number of Pins | 2 |
| Photodiode Type | PIN |
| Supplier Package | DIL SMT |
| Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Typical Fall Time | 0.02µs |
| Typical Rise Time | 0.02µs |
| Amplifier Function | No |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Photodiode Material | Si |
| Peak Wavelength (nm) | 850 |
| Short Circuit Current | 80µA |
| Maximum Fall Time (ns) | 20 |
| Maximum Rise Time (ns) | 20 |
| Peak Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Peak Wavelength - (nm) | 850 |
| Темновой Ток | 2000пА |
| Maximum Fall Time - (ns) | 20 |
| Maximum Rise Time - (ns) | 20 |
| Угол Приема ± | 60 |
| Maximum Dark Current (nA) | 30 |
| Maximum Light Current (uA) | 80 |
| Maximum Dark Current - (nA) | 30 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 32 |
| Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
| Minimum Wavelength Detected | 400nm |
| Maximum Light Current - (uA) | 80 |
| Maximum Forward Voltage - (V) | 1.3 |
| Maximum Reverse Voltage - (V) | 32 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~100 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 850nm |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150 |
| Линейка Продукции | BPW34, BPW34S, BPW34S(R18R) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Диода | SMD |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 100 C |
| Длина Волны Предельной Чувствительности | 850нм |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 4-72 часа |