BPW 34 SR-Z, Photo Diode, AEC-Q101, 60° Half Sensitivity, 2nA Dark Current, 850nm, SMD-2 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000976138
- Артикул
- BPW 34 SR-Z
- Бренд
- AMS OSRAM GROUP
- Type
- Silicon PIN Photodiode
- Width
- 4mm
- Product
- PIN Photodiodes
- Polarity
- Reverse
Цена по запросу
(от 181 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Q65110A2701
Технические параметры
| Type | Silicon PIN Photodiode |
| Width | 4mm |
| Product | PIN Photodiodes |
| Polarity | Reverse |
| Fall Time | 20 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 20 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Subcategory | Optical Detectors & Sensors |
| Dark Current | 2 nA |
| Manufacturer | ams OSRAM |
| Package Type | DIP |
| Photocurrent | 80 uA |
| Product Type | Photodiodes |
| Responsivity | 0.62 A/W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Diode Material | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Pins | 2 |
| Package / Case | DIL-SMT-2 |
| Part # Aliases | Q65110A2701 BPW 34 SR Q65110A2701 |
| Peak Wavelength | 850 nm |
| Product Category | Photodiodes |
| Amplifier Function | No |
| Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
| If - Forward Current | 100 mA |
| Vf - Forward Voltage | 1.3 V |
| Vr - Reverse Voltage | 32 V |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Peak Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Темновой Ток | 2000пА |
| Угол Приема ± | 60° |
| Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
| Minimum Wavelength Detected | 400nm |
| Half Intensity Angle Degrees | 60 deg |
| Noise Equivalent Power - NEP | 4.1E-14 W/sqrt Hz |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 850nm |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Диода | SMD |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 100°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Длина Волны Предельной Чувствительности | 850нм |