BPW 34, Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin DIL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020674209
- Артикул
- BPW 34
- Бренд
- AMS OSRAM GROUP
- PPAP
- No
- Type
- Chip
- Width
- 4mm
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Минимальный заказ: 444 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Контактный чип фотодиода 850 нм с чувствительностью 0,62 А/ Вт, 2-контактный DIL
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Chip |
| Width | 4mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | Reverse |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.22 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Unconfirmed |
| Package Type | DIP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Diode Material | Si |
| Number of Pins | 2 |
| Photodiode Type | PIN |
| Supplier Package | DIL |
| Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Amplifier Function | No |
| Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
| Photodiode Material | Si |
| Peak Wavelength (nm) | 850 |
| Standard Package Name | DIP |
| Maximum Fall Time (ns) | 20 |
| Maximum Rise Time (ns) | 20 |
| Peak Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Темновой Ток | 2000пА |
| Угол Приема ± | 60° |
| Maximum Dark Current (nA) | 30 |
| Maximum Light Current (uA) | 80 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 32 |
| Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
| Minimum Wavelength Detected | 400nm |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 850nm |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Диода | DIP |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 100°C |
| Длина Волны Предельной Чувствительности | 850нм |