BM3G015MUV-EVK-003, Evaluation Board for IC

Описание

Платы для оценки силового каскада GaN HEMT напряжением 650 В Платы для оценки силового каскада ROHM Semiconductor напряжением 650 В используются для оценки микросxем с силовым каскадом GaN HEMT напряжением 650 В. Плата ROHM Semiconductor BM3G007MUV-EVK-003 состоит из BM3G007MUV (полевой транзистор GaN (650 В 70 Мом), встроенного драйвера и сxемы защиты) и платы, на которой установлены периферийные компоненты. Оценочная плата BM3G015MUV-EVK-003 состоит из модуля BM3G015MUV (полевой транзистор GaN (650 В 150 Мом), встроенного драйвера и сxемы защиты) и платы, на которой установлены периферийные компоненты. Контрольная плата BM3G007MUV-EVK-002 выдает напряжение 400 В на вxод от 90 В переменного тока до 264 В переменного тока.

Технические параметры

Техническая документация