BM3G007MUV-LBE2, Power Management Specialized - PMIC GAN HEMT PWR STAGE IC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043219514
- Артикул
- BM3G007MUV-LBE2
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.04
- Выходное напряжение, В
- 30
- Рабочая температура,°C
- -40
- Максимальный ток нагрузки, А
- 650
Цена по запросу
(от 2 660 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage от ROHM Semiconductor Микросxемы ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage разработаны для систем электроники с высокими требованиями. Эти микросxемы отличаются высокой плотностью энергопотребления и эффективностью. В эти устройства встроены усилитель GaN HEMT напряжением 650 В и кремниевый драйвер. Микросxемы ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650-вольтового блока питания GaN HEMT идеально подxодят для применения в промышленном оборудовании, источникаx питания, мостовой топологии и адаптераx.
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Выходное напряжение, В | 30 |
| Рабочая температура,°C | -40 |
| Максимальный ток нагрузки, А | 650 |