BIDW50N65T, IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012583061
- Артикул
- BIDW50N65T
- Бренд
- Bourns
- Вес, г
- 0.029
- Package Type
- TO-247
- Configuration
- Single Diode
- Number of Transistors
- 1
Цена по запросу
(от 830 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-устройство Bourns сочетает в себе теxнологию МОП-затвора и биполярного транзистора, что обеспечивает оптимальный компонент для применения при высоком напряжении и сильном токе.
Технические параметры
| Вес, г | 0.029 |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | Single Diode |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 416 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |