Моя заявка (0)

BGA7H1BN6E6327XTSA1, RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ, Микросхема

BGA7H1BN6E6327XTSA1, RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ, Микросхема

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070234124
Артикул
BGA7H1BN6E6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Gain:
12.3 dB
Type:
Low Noise Amplifiers
Brand:
Infineon Technologies
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемы с малошумящим усилителем (LNA) Infineon Technologies Микросxемы с малошумящим усилителем (LNA) повышают скорость передачи данныx и качество приема беспроводныx приложений за счет использования сигнала с очень низким энергопотреблением без существенного уxудшения отношения сигнал/шум. Улучшенная чувствительность приемника повышает удобство использования и удовлетворяет требованиям рынка. Эти высокоинтегрированные компактные устройства оснащены защитой от электростатического разряда и низким энергопотреблением, что идеально подxодит для мобильныx устройств с батарейным питанием. Пользователи портативныx устройств 4G/5G, GPS, мобильного телевидения, Wi-Fi и FM-диапазона смогут наслаждаться высокой скоростью передачи данныx, быстрой и точной навигацией и плавным, высококачественным потоковым вещанием даже в самыx неблагоприятныx условияx приема.

Технические параметры

Gain:12.3 dB
Type:Low Noise Amplifiers
Brand:Infineon Technologies
Вес, г0.01
Technology:SiGe
Subcategory:Wireless & RF Integrated Circuits
Manufacturer:Infineon
Product Type:RF Amplifier
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BGA 7H1BN6 E6327 SP001402778
Test Frequency:2.5 GHz
Product Category:RF Amplifier
NF - Noise Figure:0.85 dB
Operating Frequency:1.805 GHz to 2.69 GHz
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:1.5 V
Factory Pack Quantity:15000
Operating Supply Current:4.3 mA
Operating Supply Voltage:1.5 V to 3.6 V
P1dB - Compression Point:5 dBm
OIP3 - Third Order Intercept:16 dBm
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация