BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.7 V, 4-Pin SOT-343
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998767
- Артикул
- BFP842ESDH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- 8541.21.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- Тип
- RF Silicon Germanium
Цена по запросу
(от 96,39 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительный радиочастотный биполярный транзистор с гетеропереxодом Infineon со встроенной защитой от электростатического разряда, подxодящий для 2-x устройств.
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Тип | RF Silicon Germanium |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | SiGe |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BFP842 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-343 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.25 |
| Package Height | 0.9(Max) |
| Package Length | 2 |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SOT-343 |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | SiGe |
| Standard Package Name | SOT-343 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 150@15mA@2.5V |
| Typical Power Gain (dB) | 29 |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Noise Figure (dB) | 0.85(Typ) |
| Maximum Power Dissipation | 120 mW |
| Maximum Operating Frequency | 60 GHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operational Bias Conditions | 2.5V/15mA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-343-4 |
| Maximum DC Collector Current | 40 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain Range | 120 to 200 |
| Рабочая частота | 60 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Maximum Collector Base Voltage | 3.5 V, 4.1 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 120 |
| Typical Input Capacitance (pF) | 0.44 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 0.064 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.04 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 3.25 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 4.1 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 57000(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power 1dB Compression (dBm) | 8.5(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 3.25 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 400 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.001 to 0.06 |
| Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) | 25.5(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Pd - рассеивание мощности | 120 mW |
| Другие названия товара № | BFP 842ESD H6327 SP000943012 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3.25 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |